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IGBT和电力MOSFET的内部结构和开关特性的相似与不

发布时间: 2020-01-31

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  展开全部IGBT与MOSFET结构上的差别只是IGBT在VDMOS的背面增加了一个P型层。但就是增加了这么一个P型层,香港最快开奖现场直播结果!导致IGBT和MOSFET具有不同的工作机理和特性。

  由于IGBT背面有一个P型层,IGBT在开通状态时,其N-漂移区能会发生强烈的电导调制效应,就是因为这个电导调制效应,导致IGBT的导通电阻约是MOSFET的1/3,27477香港开奖结果。其导通损耗较MOSFET小。但又就是因为电导调制效应,东方心经彩图大全大人很受罪孩子的“粮仓”足。导致IGBT在关断时会存在拖尾电流,使IGBT的关断时间变长,关断损耗变大。


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